15 kV SiC IGBT芯片常温动态特性测试

• 作者: 任志军 吴沛飞 张一杰 杜泽晨 杨晓磊 杨霏 柏松 赵志斌
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅(SiC) 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 动态特性 双脉冲测试 开关特性
• 年，卷（期）: 2020,（9）
• 所属期刊栏目: 半导体检测与设备
• 页码范围: 723-729
• 页数: 7页
• 分类号: TN322.8
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2020.09.012

摘要

与传统的硅基器件相比,碳化硅绝缘栅双极型晶体管(SiC IGBT)具有更小的导通电阻、更高的耐受电压以及更快的开关速度.由于这些优异的特性,SiC IGBT在电力行业有较大的市场需求.基于一款自主研发的15 kV SiC IGBT芯片,测量了芯片的静态特性,搭建了芯片的动态特性测试平台,测量了常温下该15 kV SiC IGBT芯片在2000～9000 V下的动态特性参数,包括开关时间和开关损耗,分析了芯片开关特性参数与外接高压直流源电压的关系,为该型号IGBT芯片性能的进一步改进、优化提供了实验支撑.