银薄膜沉积工艺优化研究

• 作者: 赵铭杰 许英朝 张泽旺 徐代升 黄章超
• 来源期刊: 光学与光电技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 银薄膜 团聚 电阻率 氮气 晶粒取向
• 年，卷（期）: 2020,（3）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 105-110
• 页数: 6页
• 分类号: O484
• 语种: 中文

摘要

采用单因素优化法对沉积条件进行优化以获得低电阻率的银薄膜.研究了溅射功率、气压和衬底温度对银薄膜的电阻率和沉积速率的影响.结果表明:低功率和高气压有利于降低电阻率.这是由于该条件下沉积速率较低,使银原子充分迁移,改善了晶格完整性.适当加热衬底也可降低电阻率,但不宜超过100℃.为了抑制薄膜在高温下的"团聚",在溅射气体氩气中加入氮气.SEM、AFM和XRD的结果表明:氮气促进了(1 1 1)取向晶粒的生长,抑制了"团聚",细化了晶粒.加入氮气后薄膜的表面粗糙度和电阻率也提高了,但经过退火后均下降.该结果对控制银薄膜的晶粒取向,获得热稳定的低电阻率的银薄膜具有一定的意义.