IGBT全桥穿通特性及退化分析

• 作者: 张小玲 果朦 白天旭 谢雪松
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘栅双极型晶体管 穿通特性 退化
• 年，卷（期）: 2020,（3）
• 所属期刊栏目: 器件与测试
• 页码范围: 117-120
• 页数: 4页
• 分类号: TN32
• 语种: 中文

摘要

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在桥式电路中的穿通现象会使得同一桥臂的两个IGBT同时导通,发生短路烧毁.利用Simulink软件对IGBT电路进行仿真分析,通过实验电路对IGBT实际工作进行测试及比较,探讨了母线电压、栅极电阻、栅-射极间并联电容对IGBT感应栅压的影响;并对桥式结构中IGBT各电参数的退化情况进行详细地分析,可得:母线电压对感应栅压的大小基本无影响;栅极电阻与感应栅压呈正相关;栅-射极间并联电容越大,感应栅压越小;集电极漏电流和通态电阻退化明显.并根据分析讨论结果,给出优化方案,对提高桥式结构中IGBT的可靠性有着重要意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢雪松		66	554	14.0	20.0
2	张小玲		69	447	11.0	18.0
3	果朦		2	0	0.0	0.0
4	白天旭		1	0	0.0	0.0