非晶层占比对TEM样品成像的影响

• 作者: 党鹏 史丽娜 张启华 杨阳 马昊
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 透射电子显微镜(TEM) 聚焦离子束(FIB) 离子束损伤 非晶层 图像质量 临界值
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体检测与设备
• 页码范围: 84-88
• 页数: 5页
• 分类号: TN407
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2020.01.012

摘要

研究了非晶层占比对半导体器件透射电子显微镜(TEM)样品成像的影响.聚焦离子束(FIB)是制备TEM样品的重要工具,在TEM样品制备过程中,离子束损伤会在样品表面产生非晶层而使TEM图像产生畸变失真.在28 nm技术节点以下半导体器件TEM样品制备中,传统的制备方法会使样品在TEM下呈现非晶像或者图像质量不佳而不再适用.制备了一种楔形样品并使用平面转截面的样品制备方法研究了TEM呈晶格像时和非晶层临界占比的关系.实验表明,当样品中非晶层的占比超过0.66时,其在TEM下的成像为非晶像;当低于这一数值时,其在TEM下的成像为晶格像.针对非晶层对样品成像的影响,使用了一种低电压减薄的制备方法,通过降低非晶层占比可以显著优化表面成像,提高TEM样品的质量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨阳	中国科学院微电子研究所	148	1314	17.0	29.0
2	张启华		8	17	2.0	4.0
3	史丽娜	中国科学院微电子研究所	6	19	3.0	4.0
4	党鹏		1	0	0.0	0.0
5	马昊		1	0	0.0	0.0