Cl掺杂SnSe单晶制备和热电性能研究

• 作者: 斯剑霄 方文强 李康银 申彤
• 来源期刊: 材料科学
• 学科: 物理学
• 关键词: SnSe单晶 布里奇曼法 Cl掺杂 热电性能
• 年，卷（期）: 2020,（11）
• 页码范围: 877-884
• 页数: 8页
• 分类号: O46

摘要

采用布里奇曼法(Bridgman)制备了Cl掺杂的n型SnSe单晶热电材料,研究了Cl的掺杂量对SnSe1-xClx(x = 0, 0.02, 0.025, 0.03, 0.04)样品的热电性能的影响。结果表明,Cl的掺入可以实现SnSe单晶从p型到n型的转变。当x = 0.03时,SnSe0.97Cl0.03样品的电子浓度提高到5.1 ×1018 cm−3,样品表现出高的电导率和迁移率。在323 K温度下功率因子(PF)达到17.8 uWcm−1K−2。在323 K - 773 K温度范围内的平均ZT值达到0.72,为不掺杂SnSe单晶样品的3.8倍,表明Cl掺杂可以有效改善低温段n型SnSe单晶的热电性能。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	斯剑霄		10	16	3.0	3.0
2	李康银		1	0	0.0	0.0
3	方文强		1	0	0.0	0.0
4	申彤		1	0	0.0	0.0