InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的温度电压特性

• 作者: 于文富 曹春芳 李金友 杨锦 王海龙 赵旭熠 龚谦
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 量子阱激光器 InGaAs/GaAs/InGaP 低温 温度电压特性
• 年，卷（期）: 2020,（8）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 971-976
• 页数: 6页
• 分类号: TN248.4|TN365
• 字数: 2521字
• 语种: 中文
• DOI: 10.37188/fgxb20204108.0971

摘要

研究了InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器在不同温度下的电流-电压特性,并建立了一个理论模型进行描述.实验所用激光器腔长为0.3 mm,脊条宽度为3μm.实验测量得到该激光器在15～100 K的电压温度系数(dV/dT)为7.87～8.32 mV/K,在100～300 K的电压温度系数为2.93～3.17 mV/K.由理论模型计算得到该激光器在15～100 K的电压温度系数为2.56～2.75 mV/K,在100～300 K的电压温度系数为3.91～4.15 mV/K.在100～300 K,实验测量与理论模型计算得出的电压温度系数接近,理论模型能较好地模拟激光器的温度电压特性;但在15～100 K相差较大,还需要进一步完善.