1.55μm单光子源用Si/SiO2-InP微柱腔的鲁棒性研究

• 作者: 周强 宋海智 席琪 张伟 徐强 谢修敏 赵新华 黄帅
• 来源期刊: 激光技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 光学器件 鲁棒性 有限时域差分法 微腔 单光子源 通信波段
• 年，卷（期）: 2020,（5）
• 所属期刊栏目: 激光物理、材料与器件
• 页码范围: 532-537
• 页数: 6页
• 分类号: O439
• 语种: 中文
• DOI: 10.7510/jgjs.issn.1001-3806.2020.05.002

摘要

为了评估实际制备中工艺偏差对此前设计的Si/SiO2-InP微柱腔性能的影响,采用了基于有限时域差分法的模拟仿真,从工艺缺陷以及工艺误差两个角度,模拟了非理想工艺条件对Si/SiO2-InP微柱腔性能的影响.结果表明,在目前可达到的加工精度下,如椭圆因子为0.1、锥形侧壁角度为3°、尺寸误差为5％,Si/SiO2-InP微柱腔仍能保持满足应用需求的性能,证明了设计的1.55μm量子点单光子源有很高的鲁棒性.该研究为通信波段单光子源提供了切实可行的方案.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张伟		16	26	3.0	4.0
2	徐强		4	0	0.0	0.0
3	谢修敏		4	0	0.0	0.0
4	宋海智		7	2	1.0	1.0
5	周强		5	4	2.0	2.0
6	赵新华		2	0	0.0	0.0
7	黄帅		1	0	0.0	0.0
8	席琪		1	0	0.0	0.0