单晶SiC化学机械抛光基础研究——电芬顿反应条件优化及6H-SiC氧化效果分析

• 作者: 潘继生 邓家云 阎秋生
• 来源期刊: 表面技术
• 学科: 工学
• 关键词: 电芬顿 6H-SiC 化学机械抛光 正交试验 羟基自由基 氧化反应
• 年，卷（期）: 2020,（4）
• 所属期刊栏目: 专题——高性能表面抛光加工方法
• 页码范围: 64-73
• 页数: 10页
• 分类号: TG356.28|TN305.2
• 字数: 6158字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2020.04.008

摘要

目的 揭示电芬顿参数对生成羟基自由基(·OH)最大浓度和·OH总量的影响规律,实现电芬顿反应对单晶6H-SiC氧化腐蚀的最大化.方法 通过6因素5水平正交试验,分析电压大小、电极种类、氧化剂过氧化氢(H2O2)浓度、催化剂种类、催化剂浓度以及反应液pH等参数对电芬顿反应生成·OH最大浓度和·OH总量的影响规律,找出最佳试验组合和主要影响因素,并利用最佳试验组合与同等条件下的芬顿反应对单晶6H-SiC进行氧化腐蚀对比分析.结果 影响电芬顿反应生成·OH最大浓度和·OH总量的主次顺序为:催化剂种类>电压大小>H2O2浓度>催化剂浓度>pH>电极种类.其中,催化剂种类、电压、氧化剂浓度影响显著,影响因子分别为45％、22％、12％和30％、19％、41％.与同等条件下的芬顿反应相比,电芬顿反应生成的·OH最大浓度、·OH总量分别提高了61.34％和68.62％,在6H-SiC表面能形成更多SiO2氧化层.结论 电芬顿反应通过控制电参数,能够加速Fe3+向Fe2+转化并原位生成部分H2O2,补充反应过程中H2O2的消耗,提高·OH生成总量,加速·OH对单晶SiC基片的氧化腐蚀作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	阎秋生	广东工业大学机电工程学院	146	787	13.0	20.0
2	潘继生	广东工业大学机电工程学院	34	203	8.0	12.0
3	邓家云	广东工业大学机电工程学院	3	12	1.0	3.0