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摘要:
三元层状陶瓷材料(Mn+1AXn)因其具有独特的力学、热学和电学性能而备受关注.本文以单质Ti,Al,TiN粉为原料,按摩尔比1∶1∶1称量后混料,用等离子放电热压烧结(SPS)方法合成了Ti2AlN多晶块状材料;以单质Ti,GaN粉为原料,按摩尔比2∶1称量后混料,用封管烧结方法合成了Ti2GaN多晶块状材料.利用X射线衍射和扫描电镜表征物相和微观结构,并研究其导电性质,结果表明:Ti2AlN、Ti2GaN样品均为单相,呈层状结构,化学组成与理论成分基本一致,电阻率从300到5K逐渐降低,呈现金属性,5K以上未发现超导特性.
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文献信息
篇名 三元层状氮化物Ti2AN(A=Al, Ga)材料的合成及电学性质研究
来源期刊 真空科学与技术学报 学科 工学
关键词 层状结构氮化物 Ti2AlN Ti2GaN M2AX Mn+1AXn
年,卷(期) 2020,(7) 所属期刊栏目 其他
研究方向 页码范围 692-696
页数 5页 分类号 TB331
字数 语种 中文
DOI 10.13922/j.cnki.cjovst.2020.07.18
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 宋丽红 山西经济管理干部学院机电工程系 4 2 1.0 1.0
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层状结构氮化物
Ti2AlN
Ti2GaN
M2AX
Mn+1AXn
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真空科学与技术学报
月刊
1672-7126
11-5177/TB
大16开
北京市朝阳区建国路93号万达广场9号楼614室
1981
chi
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