不同衬底上层状MoS2薄膜制备及应用的研究进展

• 作者: 朱靖 陶化文 黄玲琴
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 二维层状MoS2 GaN 蓝宝石 SiC 化学气相沉积(CVD)法 高温热分解法 异质结
• 年，卷（期）: 2020,（10）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 737-747,759
• 页数: 12页
• 分类号: TN304.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2020.10.001

摘要

二维层状MoS2薄膜具有超高的光响应度、高导电特性、良好的光学透明度以及优异的机械性能,是制造多功能和高性能光电探测器、传感器等最理想的半导体材料之一.在不同衬底上制备的MoS2薄膜性质有所差异,其构成的异质结性能也各具特色.首先,介绍了常用于制备层状MoS2薄膜的化学气相沉积(CVD)法和高温热分解法;然后,综述了在Si、塑料、GaN、GaAs、Si纳米线、蓝宝石、SiO2/Si和SiC等不同衬底上制备层状MoS2薄膜的方法,利用原子力显微镜、X射线衍射、拉曼光谱、X射线光电子能谱等测试方法对各衬底上制备的MoS2薄膜结构和性能进行了表征;同时讨论了相应的异质结器件的特性及应用,并对高质量MoS2薄膜在光电探测器、气体传感器、压电器件等光电子和纳电子器件中的应用进行了展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄玲琴		7	8	2.0	2.0
2	朱靖		2	0	0.0	0.0
3	陶化文		1	0	0.0	0.0