25～40GHz非对称单刀双掷开关的设计与实现

• 作者: 张浩 汪璨星
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 单刀双掷(SPDT)开关 非对称 Ka波段 锗硅(SiGe) BiCMOS工艺
• 年，卷（期）: 2020,（10）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 754-759
• 页数: 6页
• 分类号: TN433
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2020.10.003

摘要

针对Ka波段单片收发(T/R)集成电路对发射大功率和高隔离度的需求,分析了传统单刀双掷(SPDT)开关中并联、串联晶体管尺寸对插入损耗、隔离度和线性度的影响,设计了一款非对称的毫米波单刀双掷开关,通过去除发射通道上的并联支路,提高发射通道的1 dB压缩点输出功率.同时,通过串联和并联电感与晶体管寄生电容并联谐振的方式,提高发射和接收通道的隔离度.该开关采用0.13 μm SiGe BiCMOS工艺实现,测试结果表明,在25～40 GHz频率范围内,接收模式下,插入损耗S31小于4 dB,回波损耗S11和S33分别小于-10.8 dB和-11.8 dB;发射模式下,插入损耗S21小于1.8dB,1 dB压缩点输出功率大于18.2 dBm,隔离度S32大于19 dB,回波损耗S11和S22分别小于-14.6 dB和-15.9 dB.该Ka波段非对称单刀双掷开关芯片的核心面积仅0.21 mm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张浩		9	3	1.0	1.0
2	汪璨星		1	0	0.0	0.0