氧等离子体处理提高AlGaN/GaN肖特基势垒高度

• 作者: 赵勇兵
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN 肖特基二极管 势垒高度 氧等离子体处理 理想因子
• 年，卷（期）: 2020,（10）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 760-763,815
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.26|TN311.7
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2020.10.004

摘要

通过氧等离子体处理工艺,在AlGaN/GaN异质结构上制备了肖特基二极管.基于正向电流-电压特性和双二极管模型,对AlGaN/GaN异质结构的肖特基势垒高度和理想因子进行了计算和分析.采用氧等离子体处理的肖特基二极管,其理想因子由4.7下降到1.45,势垒高度由0.8 eV提高到1.057 eV,反向漏电流降低了约两个数量级.经氧等离子体处理制备的AlGaN/GaN肖特基二极管具有较高的势垒高度,抑制了垂直隧穿,同时氧等离子体处理对肖特基接触金属下方和附近的表面陷阱还起到钝化作用,从而降低了陷阱辅助隧穿.氧等离子体处理工艺为制备理想的肖特基二极管提供了一种有效的方法.