SiCf/Ti65复合材料界面反应与基体相变机理

• 作者: 王超 张旭 王玉敏 杨青 杨丽娜 张国兴 吴颖 孔旭 杨锐
• 来源期刊: 金属学报
• 关键词: 钛基复合材料 SiC纤维 界面反应 元素扩散 基体相变
• 年，卷（期）: 2020,（9）
• 页码范围: 1275-1285
• 页数: 11页
• 分类号: TG146.23
• 语种: 中文
• DOI: 10.11900/0412.1961.2020.00027

摘要

采用磁控溅射先驱丝法并结合热等静压技术制备了SiCf/Ti65复合材料,对其在650、750、800和900℃进行了长时间热暴露实验.结果 表明,热等静压和热暴露过程中,SiCf/Ti65复合材料内部各元素同时参与界面互扩散和基体相变扩散.热等静压后,SiCf/Ti65复合材料界面反应层产物主要为TiC,基体中相变产物为等轴的(Zr, Nb)5Si4.热暴露过程中,界面反应逐渐生成了Ti5Si3和(Zr, Nb)5Si4,基体相变则有了Ti3(Al,Sn)C和TiC生成.SiCf/Ti65复合材料反应层长大激活能为93 kJ/mol,该材料界面可以在650℃及以下温度长时间保持稳定.