TSV转接板空腔金属化与再布线层一体成型技术

• 作者: 周云燕 戴风伟 曹睿 曹立强 陈立军
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 三维异质集成 硅通孔(TSV)转接板 空腔金属化 再布线层(RDL) 一体成型
• 年，卷（期）: 2020,（10）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 790-795
• 页数: 6页
• 分类号: TN305
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2020.10.009

摘要

为满足射频微波应用的需求并实现三维异质集成,提出了一种带有大尺寸空腔结构的硅通孔(TSV)转接板,研究了其空腔金属化与表面金属再布线层(RDL)一体成型技术.首先,刻蚀空腔并整面沉积一层2μm厚的SiO2;然后,在不损伤其他部分绝缘层的条件下,通过干法刻蚀完成TSV背面SiO2刻蚀;最后,通过整面电镀实现空腔金属化和RDL一体成型,并通过金属反向刻蚀形成RDL.重点研究了对TSV背面SiO2刻蚀时对空腔拐角的保护方法,以及在形成表面RDL时对空腔侧壁金属层的保护方法.最终获得了带有120 μm深空腔的TSV转接板样品,其中空腔侧壁和表面RDL的金属层厚度均为8μm.