基于GaAs工艺的一种新颖FET驱动器设计

• 作者: 王凯
• 来源期刊: 通讯世界
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs FET 驱动器
• 年，卷（期）: 2020,（4）
• 所属期刊栏目: 通信设计与应用
• 页码范围: 115-116
• 页数: 2页
• 分类号: TN386
• 字数: 609字
• 语种: 中文

摘要

本文阐述了基于GaAs工艺的一种新颖FET驱动器结构.此类FET驱动器可以和GaAs MMIC相集成,主要应用于控制SPMT开关、多位数控衰减器、数控移相器.通过优化电路结构,经流片测试,本次设计的驱动器电路能够在输入TTL逻辑电平的条件下,输出高低电平分别位-4.8 V和-0.02 V,达到了设计目标,满足GaAs MMIC电路控制电平的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王凯	中国电子科技集团公司第十三研究所	36	31	4.0	4.0