硅藻基As(Ⅴ)表面印迹材料的制备与表征

• 作者: 李聪 梁效铭 解庆林 钟溢健 陈南春 马丽丽
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: 硅藻 表面印迹 表观形貌 选择性
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 156-161
• 页数: 6页
• 分类号: TB332
• 语种: 中文
• DOI: 10.11868/j.issn.1001-4381.2018.001389

摘要

采用硅藻作为材料载体、选取硅烷偶联剂氨基丙基三甲氧基硅烷(APS)作为功能单体、As(Ⅴ)为模板离子、环氧氯丙烷(ECH)为交联剂,通过冷凝回流法制备了以天然矿物材料为载体的印迹复合材料.经扫描电镜、X射线粉末衍射、傅里叶变换红外光谱及透射电镜的表征结果表明:功能单体APS经接枝作用成功搭接在了硅藻表面,与ECH交联后形成了稳定的印迹孔穴.硅藻的孔穴及周围有明显接枝物产生,且孔穴的内部规则性更加明显.选择性实验得到了不同二元体系下As(Ⅴ)印迹复合材料的选择性系数,并根据实验数据对As(Ⅴ)的选择能力与利用前景进行了总结和评价.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	解庆林	桂林理工大学环境科学与工程学院	41	131	7.0	9.0
2	陈南春	桂林理工大学材料科学与工程学院	28	140	6.0	11.0
3	钟溢健	桂林理工大学环境科学与工程学院	7	5	2.0	2.0
4	李聪	桂林理工大学环境科学与工程学院	6	20	3.0	4.0
5	梁效铭	桂林理工大学材料科学与工程学院	3	3	1.0	1.0
6	马丽丽	桂林理工大学环境科学与工程学院	10	58	5.0	7.0