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摘要:
本文提出了一种基于砷化镓(GaAs)材料且具有全方位光管理能力的纳米方形光阱结构.通过光学模拟可知,该结构在较大结构参数范围内具有优异的全向光管理能力.当该结构的有效厚度为407 nm时,在AM1.5G光照下,其光电流密度可达29.51 mA/cm2,而在同样条件下,2000 nm厚的平面GaAs结构只能产生19.80 mA/cm2的光电流密度.由光电模拟可知,为了获得合理的高光电转换效率,应使少数载流子寿命大于等于1.0×10-7 s,表面复合速率小于等于100 s/cm.
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文献信息
篇名 具有全方位光管理能力的光阱结构
来源期刊 原子与分子物理学报 学科 物理学
关键词 光管理 全方位陷光结构 时域有限差分法 光电器件
年,卷(期) 2020,(4) 所属期刊栏目 原子分子物理交叉学科
研究方向 页码范围 632-636
页数 5页 分类号 O472+.8
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-0364.2020.04.022
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李亚丽 6 30 3.0 5.0
2 王军 32 213 7.0 14.0
3 张文杰 5 32 2.0 5.0
4 王艳周 2 1 1.0 1.0
5 吴宗豪 1 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
光管理
全方位陷光结构
时域有限差分法
光电器件
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
原子与分子物理学报
双月刊
1000-0364
51-1199/O4
大16开
成都市一环路南一段24号
62-54
1986
chi
出版文献量(篇)
4271
总下载数(次)
1
总被引数(次)
10724
论文1v1指导