Ge掺杂GaN晶体双光子诱导超快载流子动力学的飞秒瞬态吸收光谱研究

• 作者: 吴幸智 宋瑛林 方宇 杨俊义 陈永强
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 载流子动力学 瞬态吸收光谱 双光子吸收 GaN
• 年，卷（期）: 2020,（16）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 296-303
• 页数: 8页
• 字数: 5294字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.69.20200397

摘要

本文利用飞秒瞬态吸收光谱技术,在近红外波段对Ge掺杂GaN(GaN:Ge)晶体进行了超快载流子动力学研究.在双光子激发下,瞬态吸收动力学呈现出双指数衰减,其中慢过程寿命随着泵浦光强增加而增加.瞬态吸收响应随着探测波长而单调增强,并在约1050 nm处由空穴吸收占据主导.利用简化模型模拟载流子动力学发现,GaN:Ge中碳杂质形成的深受主能级对空穴有很强的俘获能力,并且引起了缺陷发光.在较适中的载流子注入下,n型GaN中的载流子寿命可以通过控制缺陷浓度和载流子浓度来共同调控,使其可应用于发光二极管和光通信等不同的领域.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋瑛林	苏州大学物理科学与技术学院	28	69	5.0	6.0
2	杨俊义	苏州大学物理科学与技术学院	25	39	3.0	4.0
3	方宇	苏州科技大学物理科学与技术学院江苏省微纳热流技术与能源应用重点实验室	3	0	0.0	0.0
4	吴幸智	苏州科技大学物理科学与技术学院江苏省微纳热流技术与能源应用重点实验室	2	0	0.0	0.0
5	陈永强	苏州科技大学物理科学与技术学院江苏省微纳热流技术与能源应用重点实验室	3	2	1.0	1.0