Y-W掺杂AgSnO2触头材料电性能理论研究

• 作者: 孙绍琦 朱艳彩 王景芹
• 来源期刊: 有色金属工程
• 学科: 工学
• 关键词: AgSnO2触头材料 第一性原理 Y与W共掺杂 电性能
• 年，卷（期）: 2020,（9）
• 所属期刊栏目: 材料制备与加工
• 页码范围: 1-6
• 页数: 6页
• 分类号: TM501
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.2095-1744.2020.09.001

摘要

为提高AgSnO2材料的导电性,对SnO2材料进行掺杂研究.利用第一性原理,通过原子替代的方法,分别用Y、W元素单掺SnO2以及共掺的形式,将SnO2中的Sn元素以16.7％的比例进行原子替换,计算掺杂后SnO2的晶格参数、能带结构、态密度和电荷布局.结果表明:掺杂后的SnO2晶胞,体积增大.通过能带和态密度分析得出,单掺与共掺之后的材料导带底部和价带顶部均向费米能级靠近,共掺后Y的4d轨道使导带宽度变窄,Y的4d轨道和W的5d轨道同时作用,形成杂质能级,帮助电子跃迁,导电性增强.共掺后原子的成键方式改变,新生成Y—O键和W—O键.共掺后的材料比单掺更能增加SnO2的导电性,为之后AgSnO2触头材料的研究提供了理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王景芹		117	645	13.0	20.0
2	朱艳彩		15	103	7.0	10.0
3	孙绍琦		2	0	0.0	0.0