质子在a-SiO2中的扩散机制

• 作者: 左旭 张福杰
• 来源期刊: 太赫兹科学与电子信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: 质子 a-SiO2 从头计算分子动力学 扩散
• 年，卷（期）: 2020,（4）
• 所属期刊栏目: 微电子、微系统与物理电子学
• 页码范围: 738-743
• 页数: 6页
• 分类号: TN405
• 语种: 中文
• DOI: 10.11805/TKYDA2018245

摘要

半导体电子器件中质子的扩散会导致器件性能下降.然而,迄今为止关于质子在氧化物中的扩散机制目前尚未完全清楚.本文从原子层面研究了质子在a-SiO2中的扩散行为.采用从头计算分子动力学模拟方法,计算得到了质子在a-SiO2中的扩散系数和活化能.同时,观察到了质子扩散路径.研究发现,质子主要是通过与a-SiO2中的氧原子形成和解离化合键的形式进行扩散.本文提出了质子在a-SiO2中扩散的2种方式:跳跃扩散和旋转扩散,并分别计算了这2种扩散方式所需要的势垒.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张福杰		1	0	0.0	0.0
2	左旭		8	16	3.0	4.0