基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
本文针对垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管器件电学法热阻测试的关键参数——测试电流的影响因素进行研究,测试电流选择恰当与否是热阻测试的先决条件.通过理论分析和三款典型垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管器件的试验验证,得出一种通过测试电流自升温、测试延迟时间及校温曲线这3个方面有效确定垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管器件电学法热阻测试时测试电流的方法.
推荐文章
氧化铟纳米线场效应晶体管制备及其电学性能
氧化铟
纳米线
场效应晶体管
迁移率
阈值电压
表面粗糙对石墨烯场效应晶体管电流的影响
石墨烯
场效应晶体管
表面粗糙
电流
铁电场效应晶体管的建模与模拟
铁电场效应晶体管
铁电极化
模拟
建模
一种新型GaAs基无漏结隧穿场效应晶体管
隧穿
场效应晶体管
平均亚阈值斜率
隧穿势垒
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管电学法热阻测试中测试电流的研究
来源期刊 电气技术 学科
关键词 垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管器件 电学法热阻 测试电流 测试延迟时间 校温曲线
年,卷(期) 2020,(8) 所属期刊栏目 研究与开发
研究方向 页码范围 28-32,39
页数 6页 分类号
字数 2532字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 黄东巍 中国电子技术标准化研究院基础产品研究中心 10 7 1.0 2.0
2 李旭 中国电子技术标准化研究院基础产品研究中心 11 10 2.0 3.0
3 吕贤亮 中国电子技术标准化研究院基础产品研究中心 6 2 1.0 1.0
4 周钦沅 中国电子技术标准化研究院基础产品研究中心 2 1 1.0 1.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (49)
共引文献  (21)
参考文献  (6)
节点文献
引证文献  (0)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
1977(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
1980(2)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(2)
1981(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
1985(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
1990(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
1994(2)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(1)
1997(2)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(2)
1998(2)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(2)
1999(2)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(2)
2000(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
2001(3)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(3)
2003(3)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(3)
2004(4)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(4)
2005(2)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(1)
2006(2)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(2)
2007(4)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(4)
2008(7)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(7)
2009(3)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(3)
2010(4)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(4)
2011(5)
  • 参考文献(2)
  • 二级参考文献(3)
2012(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
2013(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2018(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2020(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管器件
电学法热阻
测试电流
测试延迟时间
校温曲线
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电气技术
月刊
1673-3800
11-5255/TM
大16开
北京市西城区莲花池东路102号天莲大厦10层
2000
chi
出版文献量(篇)
6373
总下载数(次)
15
总被引数(次)
19291
论文1v1指导