Gd2SiO5:Eu3+晶体的光学浮区法制备及发光性能研究

• 作者: 张澎鹏 汪雨 罗岚 郭锐 高明远
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Gd2SiO5:Eu3+ 光学浮区法 XPS 吸收谱 荧光光谱
• 年，卷（期）: 2020,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 785-793
• 页数: 9页
• 分类号: O734
• 字数: 3346字
• 语种: 中文

摘要

用冷等静压制多晶料棒通过高温固相法制备Gd2SiO5:Eu3+粉末,并使用光学浮区法制得晶体.对其进行微观组织结构及光谱性能测试,XRD分析表明,晶体生长方向为[001]方向;摇摆曲线和Raman分析均表明其结晶状况比粉末、料棒更好;晶体无宏观和微观缺陷;EDS及XPS分析表明晶体中无杂质成分,且XPS谱中可以观测到Gd3d5/2、Eu4d5/2光电子峰劈裂,分别对应7配位和9配位离子.UV-Vis低温吸收谱中存在Eu3+-O2-电荷转移吸收带和Gd3+4f-4f电子跃迁吸收(6D/I/PJ→8S7/2)吸收限,做(Ahν)1/2-hν曲线得到其禁带宽度为5.9 eV;样品在紫外激发下呈橘红色,并在254 nm、277 nm、365 nm、396 nm激发下可产生发射峰为583 nm、596 nm、620 nm、629 nm的红光发射(对应Eu3+的5D0→7F0,1,2,3),其中277 nm激发下强度最大;以583 nm、596 nm、620 nm、629 nm为监测波长,其激发谱在200～500 nm波段,并出现以277 nm为中心的宽谱(对应Eu-O电荷转移跃迁和Gd3+8S7/2→6IJ)以及313 nm(Gd3+8S7/2→6PJ)、396 nm(Eu3+7F0→5L6)和466 nm(Eu3+的7F0→5D3)激发锐峰.由此可知,光学浮区法可以得到质量良好的Gd2SiO5:Eu3+晶体.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗岚	南昌大学材料科学与工程学院	39	172	8.0	12.0
5	郭锐	南昌大学材料科学与工程学院	22	68	5.0	7.0
6	汪雨	南昌大学材料科学与工程学院	6	1	1.0	1.0
7	高明远	南昌大学材料科学与工程学院	4	0	0.0	0.0
8	张澎鹏	南昌大学材料科学与工程学院	1	0	0.0	0.0