轨道交通混合SiC IGBT器件与Si IGBT器件应用对比研究

• 作者: 田伟 谢舜蒙 陈燕平 张荣 朱武 刘杰 谭一帆
• 来源期刊: 机车电传动
• 关键词: 轨道交通 混合SiC IGBT Si IGBT 杂散电感 损耗 仿真
• 年，卷（期）: 2020,（5）
• 所属期刊栏目: SiC技术|SiC Technology
• 页码范围: 67-72
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2+4
• 语种: 中文
• DOI: 10.13890/j.issn.1000-128x.2020.05.015

摘要

混合SiC IGBT采用SiC肖特基二极管替换传统IGBT器件中的反并联二极管,可以减少二极管反向恢复损耗和IGBT开通损耗,相对于传统的Si IGBT器件,其性能大幅提升,相比于高压大功率全SiC器件,混合SiC IGBT在成本和技术成熟度方面具有较大优势.文章根据混合SiC IGBT器件特性开发了符合混合SiCIGBT器件应用需求的低换流回路杂散电感的变流器模块,研究了换流回路杂散电感对混合SiC IGBT开关特性的影响.试验结果表明:变流模块杂散电感对混合SiC IGBT开通振荡电压幅值与持续时间具有较大的影响;使用混合SiC IGBT器件比使用Si IGBT器件可以降低约25％的系统损耗.