超化学计量比氧化铀晶体的研究进展

• 作者: 周鼎 徐家跃 李志超 温丰 潘芸芳 马文军
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化铀 超化学计量比 晶体生长 半导体 热电
• 年，卷（期）: 2020,（11）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 1183-1192
• 页数: 10页
• 分类号: TQ174
• 语种: 中文
• DOI: 10.15541/jim20200083

摘要

氧化铀不仅是重要的核材料,也是潜在的多功能材料.UO2晶体具有优异的半导体性能和抗辐照能力,其禁带宽度(1.3 eV)与Si(1.1 eV)相近,塞贝克系数是常用热电材料BiTe的4倍,对太阳光的全吸收使其成为高效的太阳能电池材料,在半导体、太阳能和热电等领域具有巨大的应用潜力.但是UO2随着环境变化会出现从缺氧到过氧的价态变化(UO2±x,x=–0.5～1),即超化学计量比特性,给材料制备和性能控制等方面带来很多问题.本文从相图出发,总结了各种铀氧化物的结构及其稳定性,重点聚焦UO2晶体的研究进展.理想化学计量比UO2被认为是最好的Mott绝缘体,其电导率是相对稳定的;超化学计量比氧化铀则具有半导体特性,其电导率、热导率、扩散系数以及光学性能都与x密切相关.目前,UO2晶体生长主要采用化学气相输运法(CVT)、冷坩埚法、水热法、升华法、助熔剂法等,晶体尺寸和质量还不理想,冷坩埚法和水热法被认为是最有潜力的生长技术.氧化铀单晶生长研究不仅有助于深入了解UO2材料特性,也为其在太阳能电池、热电器件以及未来电子学领域的应用提供可能性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐家跃		1	0	0.0	0.0
2	李志超		1	0	0.0	0.0
3	潘芸芳		1	0	0.0	0.0
4	周鼎		1	0	0.0	0.0
5	温丰		1	0	0.0	0.0
6	马文军		1	0	0.0	0.0