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填隙法在抛光铜衬底上制备高质量石墨烯薄膜
填隙法在抛光铜衬底上制备高质量石墨烯薄膜
作者:
王宇薇
王彬
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
填隙法
化学气相沉积
石墨烯
抛光
成核密度
铜衬底
摘要:
本文对在抛光铜衬底上通过填隙法制备的高质量石墨烯薄膜进行了详细研究.在电化学机械抛光后的铜衬底上制备石墨烯晶畴,降低了晶畴的成核密度.利用光学显微镜和扫描电子显微镜对抛光铜衬底和未抛光铜衬底上制备的石墨烯晶畴进行测试,测试结果表明,铜衬底的表面形态对于降低石墨烯的成核密度,增大石墨烯晶畴的尺寸起到了至关重要的作用.利用拉曼面扫描证明了所制备的石墨烯晶畴为单层、均匀的石墨烯晶畴.然后,通过填隙法在抛光铜衬底上制备出由大尺寸单层的六边形石墨烯晶畴组成的石墨烯连续薄膜,并且通过流程示意图解释了填隙法制备高质量石墨烯薄膜的过程.本文所提出的在抛光铜衬底上通过填隙法制备石墨烯薄膜的技术,能够有效提高石墨烯薄膜的质量,进而有效改善石墨烯基电子器件的性能.
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篇名
填隙法在抛光铜衬底上制备高质量石墨烯薄膜
来源期刊
人工晶体学报
学科
物理学
关键词
填隙法
化学气相沉积
石墨烯
抛光
成核密度
铜衬底
年,卷(期)
2020,(6)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
1101-1106
页数
6页
分类号
O793
字数
2627字
语种
中文
DOI
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作者信息
序号
姓名
单位
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被引次数
H指数
G指数
1
王彬
渤海大学新能源学院
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王宇薇
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研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
人工晶体学报
主办单位:
中材人工晶体研究院有限公司
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-985X
CN:
11-2637/O7
开本:
16开
出版地:
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
邮发代号:
创刊时间:
1972
语种:
chi
出版文献量(篇)
7423
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16
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