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摘要:
本文对在抛光铜衬底上通过填隙法制备的高质量石墨烯薄膜进行了详细研究.在电化学机械抛光后的铜衬底上制备石墨烯晶畴,降低了晶畴的成核密度.利用光学显微镜和扫描电子显微镜对抛光铜衬底和未抛光铜衬底上制备的石墨烯晶畴进行测试,测试结果表明,铜衬底的表面形态对于降低石墨烯的成核密度,增大石墨烯晶畴的尺寸起到了至关重要的作用.利用拉曼面扫描证明了所制备的石墨烯晶畴为单层、均匀的石墨烯晶畴.然后,通过填隙法在抛光铜衬底上制备出由大尺寸单层的六边形石墨烯晶畴组成的石墨烯连续薄膜,并且通过流程示意图解释了填隙法制备高质量石墨烯薄膜的过程.本文所提出的在抛光铜衬底上通过填隙法制备石墨烯薄膜的技术,能够有效提高石墨烯薄膜的质量,进而有效改善石墨烯基电子器件的性能.
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关键词云
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文献信息
篇名 填隙法在抛光铜衬底上制备高质量石墨烯薄膜
来源期刊 人工晶体学报 学科 物理学
关键词 填隙法 化学气相沉积 石墨烯 抛光 成核密度 铜衬底
年,卷(期) 2020,(6) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 1101-1106
页数 6页 分类号 O793
字数 2627字 语种 中文
DOI
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1 王彬 渤海大学新能源学院 7 10 2.0 3.0
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人工晶体学报
月刊
1000-985X
11-2637/O7
16开
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
1972
chi
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