基于InGaP/GaAs HBT的高效率高谐波抑制功率放大器

• 作者: 张晓朋 张欢 赵永瑞 高博 高思鑫
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: InGaP/GaAs HBT 功率放大器 高效率 谐波抑制 高线性 S波段
• 年，卷（期）: 2020,（12）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 957-963
• 页数: 7页
• 分类号: TN454|TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2020.12.008

摘要

将基于InGaP/GaAs HBT工艺的高线性功率放大器芯片、CMOS控制芯片、输出匹配电路集成于双层基板,研制了一款工作在S波段的高效率、高谐波抑制功率放大器模组(MCM).通过在输出匹配电路中引入多个LC谐振网络,抑制了输出信号的高次谐波分量,改善了放大器模组的线性度和效率.在电源电压4V、静态电流220 mA、工作频率1.9～2.1 GHz条件下,其小信号增益大于34.3 dB,1 dB压缩点输出功率大于34.3 dBm,功率附加效率大于44.2％,谐波抑制比小于-55.0 dBc;采用21.6 kHz π/4正交相移键控(QPSK)方式调制信号,功率放大器模组输出功率为34 dBm时,其误差向量幅度(EVM)小于3.1％,第一邻近信道功率比(ACPR1)小于-31 dBc,第二邻近信道功率比(ACPR2)小于-41 dBc.该放大器模组可广泛应用于卫星通信等领域.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张晓朋		8	1	1.0	1.0
2	高博		10	1	1.0	1.0
3	赵永瑞		4	8	1.0	2.0
4	高思鑫		2	0	0.0	0.0
5	张欢		2	0	0.0	0.0