掺氧纳米硅局域态中的电子自旋能级展宽效应

• 作者: 刘世荣 彭鸿雁 李鑫 黄伟其 黄忠梅
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 电子自旋 局域态 掺杂纳米硅 带谷劈裂 量子震荡
• 年，卷（期）: 2020,（17）
• 所属期刊栏目: 电磁学、光学、声学、传热学、经典力学和流体动力学
• 页码范围: 293-298
• 页数: 6页
• 字数: 3221字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.69.20200336

摘要

本文发现很有趣的量子效应,纳米硅表面掺杂氧而形成的电子局域态中电子自旋能级间隔会有明显的展宽,被约束在局域态中的电子自旋 ±1/2能态间距被展宽两个数量级,达到100 meV左右.本文用纳秒脉冲激光在氧氛围中制备了掺杂氧纳米硅结构并形成电子局域态,在实验检测中探测到了电子自旋能级展宽效应;用第一性原理模拟计算方法研究了电子自旋能级展宽效应,具体地对于纳米硅量子点和量子层结构表面的硅氧双键与硅氧桥键局域态中的电子自旋量子态分别进行了模拟计算研究,证实了实验结果.结合实验与计算研究结果分析,建立起电子自旋能级展宽效应的物理模型.这些工作在量子信息高保真存储与处理上会有很好的应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘世荣	中国科学院地球化学研究所环境化学国家重点实验室	38	338	10.0	17.0
2	黄忠梅	贵州大学材料与冶金学院	8	6	1.0	1.0
3	李鑫	贵州大学材料与冶金学院	19	48	3.0	6.0
4	彭鸿雁	海南师范大学物理与电子工程学院	17	1	1.0	1.0
5	黄伟其	海南师范大学物理与电子工程学院	2	0	0.0	0.0