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摘要:
京都大学研究生院工学研究科的木本恒畅教授、东京工业大学科学技术创成研究院的松下雄一郎特任副教授及小林拓真博士研究员等人组成的研究团队,把被视为节能王牌的SiC半导体20多年来面临的主要问题——半导体缺陷降低了一位数,成功地将性能提高了约10倍。
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文献信息
篇名 SiC领域20年来的重大技术突破京都大学将品质提高约10倍
来源期刊 半导体信息 学科 教育
关键词 京都大学 东京工业大学 工学 重大技术突破 研究团队 科学技术 SIC 研究生院
年,卷(期) 2020,(5) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 2-4
页数 3页 分类号 G64
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研究主题发展历程
节点文献
京都大学
东京工业大学
工学
重大技术突破
研究团队
科学技术
SIC
研究生院
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体信息
双月刊
16开
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东
1990
chi
出版文献量(篇)
5953
总下载数(次)
11
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664
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