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摘要:
美国和韩国的研究人员已经使用石墨烯来创建基于GaN的microLED阵列,该阵列可以折叠,扭曲,切割和粘贴到不同的表面。德克萨斯大学达拉斯分校的研究人员在蓝宝石衬底上使用了石墨烯的不粘层来释放microLED阵列。使用外延构建阵列以构建氮化镓(GaN)的垂直微棒。然后将阵列转移到柔性铜板上。
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文献信息
篇名 基于GaN的柔性microLED技术又有新进展
来源期刊 半导体信息 学科 工学
关键词 德克萨斯大学 LED阵列 GAN LED技术 蓝宝石衬底 达拉斯 石墨烯
年,卷(期) 2020,(5) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 11-12
页数 2页 分类号 TN3
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研究主题发展历程
节点文献
德克萨斯大学
LED阵列
GAN
LED技术
蓝宝石衬底
达拉斯
石墨烯
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体信息
双月刊
16开
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东
1990
chi
出版文献量(篇)
5953
总下载数(次)
11
总被引数(次)
664
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