GaN基白光二极管漏电失效分析

• 作者: 于婧雅 周悦 左文财 文尚胜 方方 王翌鑫
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 发光二极管 失效分析 漏电 静电
• 年，卷（期）: 2020,（11）
• 所属期刊栏目: 发光产业及技术前沿
• 页码范围: 1431-1437
• 页数: 7页
• 分类号: TN383+.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.37188/CJL.20200211

摘要

芯片漏电会对LED灯珠稳定性和寿命造成很大影响,为此本文对LED样品的漏电失效机理进行了研究.在微光显微镜观测下,样品的芯片正电极位置存在漏电异常.利用氩离子精密刻蚀系统对样品进行截面制样,并采用扫描电镜进行观察,分析可能导致漏电的原因.SEM下观测到漏电样品芯片正极出现空洞,且空洞对应的外延层出现较明显的裂缝.分析认为,在焊接时电极产生空洞,在后续高温回流焊、封装和使用过程中压力和应力集中在裂缝处,使GaN外延层受损导致漏电.研究结果为LED芯片漏电检测手段、机理分析提供了良好的参考方案,并为解决芯片裂缝和空洞问题提供了理论参考方向.