硅外延电阻率测试稳定性研究

• 作者: 杨帆 潘文宾 王银海 黄宇程
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 电阻率 薄膜 稳定性
• 年，卷（期）: 2020,（12）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 71-74
• 页数: 4页
• 分类号: TN307
• 语种: 中文
• DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.1209

摘要

硅外延电阻率是硅外延产品生产管控中的重要参数之一,常规采用汞C-V方法进行测试,其测试稳定性一直是技术难点.测试片正面、背面的氧化膜质量和厚度是影响测试稳定性的主要因素.采用微处理腔动态薄膜技术,有效改善硅外延片正表面薄膜质量的稳定性及重复性,并通过试验比对确认硅片背封厚度,有效提升硅外延电阻率测试稳定性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨帆		9	11	2.0	3.0
2	潘文宾		3	0	0.0	0.0
3	黄宇程		2	0	0.0	0.0
4	王银海		7	4	1.0	2.0