GaN半导体器件迎来红利期 2027年市场规模将达408亿

• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体器件 半导体材料 硒化锌 市场研究机构 GAN 摩尔定律 复合年增长率 第三代半导体
• 年，卷（期）: 2020,（5）
• 页码范围: 22-23
• 页数: 2页
• 分类号: TN3

摘要

基于摩尔定律即将走到极限,各家半导体业者正寻求第三代半导体开发。所谓第三代半导体系指材料以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)及硒化锌等宽频半导体为主,有别于第一代的硅(Si)、第二代的砷化镓(GaAs)之半导体材料。根据市场研究机构预测,2027年,全球GaN半导体器件市场规模预计将达到58.5亿美元(折合人民币约408亿元),从2020年到2027年,复合年增长率为19.8%。