石墨烯场效应晶体管研究进展

• 作者: 吕晓丽 吴浩波 张文发 李克伦 王文婧 肖荣林 苏艳敏 马卫平
• 来源期刊: 陕西煤炭
• 学科: 工学
• 关键词: 石墨烯场效应晶体管(GFET) 模拟电路 数字电路 带隙调控
• 年，卷（期）: 2020,（z1）
• 所属期刊栏目: 问题探讨
• 页码范围: 138-142
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 4513字
• 语种: 中文

摘要

石墨烯具有优异的光、电、热及机械性能,在传统硅基器件日益趋近物理极限的背景下,石墨烯场效应晶体管(GFET)作为一种新型纳米器件受到广泛的关注.介绍了GFET在模拟电路和数字电路中的研究进展,分析了目前存在的问题:模拟电路主要应该提高GFET的最大振荡频率(fmax)使之与截至频率(fT)相符;数字电路主要应该采取有效方法打开石墨烯带隙、提高开关比,并介绍了通过构建石墨烯纳米带、双层石墨烯、掺杂法及通过基底影响等来打开带隙的方法.与数字电路相比,GFET在模拟电路中更具有应用潜力,如在太赫兹领域已表现出优异的性能.石墨烯和硅互为补充,以混合电路的形式加以应用也是一个很好的切入点.