等离子体增强化学气相沉积可控制备石墨烯研究进展

• 作者: 何利民 张儒静 李娜 甄真 许振华
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: 石墨烯 等离子体增强化学气相沉积 形核及生长 生长机制
• 年，卷（期）: 2020,（7）
• 所属期刊栏目: 石墨烯专栏
• 页码范围: 36-44
• 页数: 9页
• 分类号: TQ127.1+1
• 语种: 中文
• DOI: 10.11868/j.issn.1001-4381.2019.000918

摘要

石墨烯具有超薄的结构、优异的光学和电学等性能,在晶体管、太阳能电池、超级电容器和传感器等领域具有极大的应用潜能.为更好地发展实际应用,高质量石墨烯的可控制备研究尤为重要.等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术具有低温和原位生长的优势,成为未来石墨烯制备方面较具潜力的发展方向之一.本文综述了PECVD技术制备石墨烯的发展,重点讨论了PECVD过程中等离子体能量、生长温度、生长基底和生长压力对石墨烯形核及生长的作用,概述了PECVD制备石墨烯的形核及聚结机制、刻蚀和边缘生长竞争两种不同机制,并指出PECVD技术制备石墨烯面临的挑战及发展.在未来的研究中,需突破对石墨烯形核及生长的控制,实现低温原位的大尺寸、高质量石墨烯薄膜的可控制备,为PECVD基石墨烯器件在电子等领域的应用奠定基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李娜		7	2	1.0	1.0
5	张儒静		1	0	0.0	0.0
9	甄真		1	0	0.0	0.0
13	许振华		1	0	0.0	0.0