GaN基微缩化发光二极管尺寸效应和阵列显示

• 作者: 李梦梅 邓杰 邰建鹏 郭伟玲 陈佳昕
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 微缩化发光二极管 尺寸效应 k 系数 被动驱动
• 年，卷（期）: 2020,（17）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 366-371
• 页数: 6页
• 字数: 2681字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.69.20200305

摘要

设计制备了不同大小的单颗微缩化发光二极管(Micro-LED)和Micro-LED阵列.其中,单颗Micro-LED尺寸为40—100μm,其电极结构为共N极,P极单独引出;阵列像素数量为8×8,被动驱动结构,像素大小为60μm.器件制备过程中使用厚光刻胶作掩膜,刻蚀N型GaN外延片至衬底,形成隔离槽.通过优化电极结构和厚度,提高了P电极在隔离槽爬坡处的可靠性;使用现场可编程门阵列(field-programmable gate array,FPGA)对Micro-LED被动阵列进行了驱动显示.对于不同尺寸的单颗Micro-LED进行了电学、光学、热学等方面的测试分析.结果表明:随着尺寸的减小,Micro-LED所能承受的电流密度越大;Micro-LED与普通蓝光LED相比具有较大的k系数,并且随着尺寸的减小,k系数的数值增大,热稳定性不如传统蓝光LED.FPGA可以实现对Micro-LED被动阵列的良好驱动.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭伟玲	北京工业大学光电子技术教育部重点实验室	74	656	10.0	23.0
2	邰建鹏	北京工业大学光电子技术教育部重点实验室	4	6	1.0	2.0
3	李梦梅	北京工业大学光电子技术教育部重点实验室	2	1	1.0	1.0
4	邓杰	北京工业大学光电子技术教育部重点实验室	5	7	2.0	2.0
5	陈佳昕	北京工业大学光电子技术教育部重点实验室	1	0	0.0	0.0