低温烧结BIT掺杂NiCoZn铁氧体及高频EMI抑制性能研究

• 作者: 凌味未 张婉婷 张怀武 李元勋 苏桦 雷鹏
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 高频 高Q值 EMI NiCoZn铁氧体 BIT掺杂
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 所属期刊栏目: 研究·开发
• 页码范围: 1088-1093
• 页数: 6页
• 分类号: TB332|TN713
• 字数: 3619字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2020.01.014

摘要

高频高Q的NiCoZn铁氧体可作为关键材料应用于EMI(electromagnetic Interference)滤波器,但高烧结温度限制了其与目前主流的LTCC(low temperature Co-fired ceramic)无源集成技术的结合.本文制备了一系列低温烧结(900℃)的Bi4 Ti3 O12(BIT)掺杂NiCoZn铁氧体,分析了掺杂量变化对关键性能的影响,并与高温烧结(1100℃)的未掺杂NiCoZn铁氧体进行了对比.其中,6％(质量分数)BIT掺杂的铁氧体可以在大幅降低烧结温度的同时得到和高温烧结铁氧体相近的磁导率.进一步,研究了两类铁氧体制作的滤波器的高频EMI抑制性能,发现两种滤波器都能在2～40 MHz的频带内表现出优异的噪声抑制性能.在部分频段,BIT掺杂铁氧体作差模电感的滤波器对差模噪声抑制能力更强,在结合LTCC集成技术开发高性能EMI器件方面表现出很好的潜力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张怀武	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	294	2211	20.0	32.0
2	李元勋	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	73	307	9.0	13.0
3	苏桦	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	46	413	13.0	18.0
4	凌味未	成都信息工程大学通信工程学院	17	69	4.0	8.0
8	雷鹏	成都信息工程大学通信工程学院	1	0	0.0	0.0
9	张婉婷	成都信息工程大学通信工程学院	2	0	0.0	0.0