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摘要:
9月19日,英诺赛科苏州第三代半导体基地举行设备搬入仪式。这意味着英诺赛科苏州第三代半导体基地开始由厂房建设阶段进入量产准备阶段,标志着全球最大氮化镓工厂正式建设完成,同时也标志着中国半导体创新史步入一个新纪元。该项目建成后将成为全球最大的集研发、设计、外延生产、芯片制造、测试等于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台,满产后将实现月产8英寸硅基氮化镓晶圆65000片,产品将为5G移动通信、数据中心、新能源汽车、无人驾驶、手机快充等战略新兴产业的自主创新发展提供核心电子元器件。
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产学研融合
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质子
氮化镓
位移损伤
Geant4
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 一期投资超60亿 全球最大氮化镓工厂落地苏州
来源期刊 半导体信息 学科 经济
关键词 战略新兴产业 全产业链 自主创新发展 氮化镓 芯片制造 新能源汽车 数据中心 无人驾驶
年,卷(期) 2020,(5) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 40-40
页数 1页 分类号 F42
字数 语种
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战略新兴产业
全产业链
自主创新发展
氮化镓
芯片制造
新能源汽车
数据中心
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研究起点
研究来源
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期刊影响力
半导体信息
双月刊
16开
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东
1990
chi
出版文献量(篇)
5953
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11
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