基于全SiC功率器件的高密度电源设计

• 作者: 张才清 漆岳 熊才伟
• 来源期刊: 现代雷达
• 学科: 工学
• 关键词: SiC器件 高压直流 高功率密度 高效率
• 年，卷（期）: 2020,（11）
• 所属期刊栏目: 雷达系统与技术
• 页码范围: 79-82
• 页数: 4页
• 分类号: TN86
• 语种: 中文
• DOI: 10.16592/j.cnki.1004-7859.2020.11.016

摘要

随着雷达有源阵面向轻薄化、小型化、高效率方向不断发展,作为雷达有源阵面关键部件之一的阵面电源,其效率、功率密度必须不断得到提升.文中介绍了一种基于全碳化硅(SiC)功率器件将高压直流输入变换为雷达阵面所需的低压直流电源的设计方法.此方法是利用SiC功率器件自身的优点,结合高压直流移相脉宽调制功率变换技术,来实现高压输入阵面电源的高功率密度及高效率.该设计已通过一台额定功率1.5 kW的电源样机得到了验证,目前已批量生产.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张才清		3	13	2.0	3.0
2	熊才伟		2	0	0.0	0.0
3	漆岳		2	0	0.0	0.0