ROHM开发出业界先进的第4代低导通电阻SiC MOSFET 可加快车载主机逆变器等的普及速度

• 来源期刊: 变频器世界
• 学科: 工学
• 关键词: 导通电阻 功率半导体 半导体制造商 耐受时间 MOSFET 逆变器 京都市 动力总成系统
• 年，卷（期）: 2020,（6）
• 页码范围: 32-33
• 页数: 2页
• 分类号: TN386

摘要

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出"1200V第4代SiC MOSFET※1",非常适用于包括主机逆变器在内的车载动力总成系统和工业设备的电源。对于功率半导体来说,当导通电阻降低时短路耐受时间※2就会缩短,两者之间存在着矛盾权衡关系,因此在降低SiC MOSFET的导通电阻时,如何兼顾短路耐受时间一直是一个挑战。