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200 MeV以下光子诱发50,51V核反应数据理论计算
200 MeV以下光子诱发50,51V核反应数据理论计算
作者:
刘玲
李琳
王记民
田源
续瑞瑞
葛智刚
金永利
陶曦
原文服务方:
原子能科学技术
光核反应
50,51V
光子强度函数
核数据理论计算
摘要:
光核反应数据在辐射损伤 、反应堆剂量 、加速器屏蔽等方面有重要应用.本工作基于MEND-G程序,对200 MeV能量范围内光子诱发50,51 V核反应数据进行理论计算,给出包含中子 、质子 、4 He等主要出射粒子的核反应的数据;对光子诱发V同位素核反应的实验测量进行自洽性分析,结合光子强度函数和准氘模型,将光核反应吸收截面计算能力提升到200 MeV,为光核反应理论计算提供数据基础.经系统比对,理论计算值与实验测量值一致性很好,数据收录在即将发布的CENDL-3.2光核子数据库中.
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文献信息
篇名
200 MeV以下光子诱发50,51V核反应数据理论计算
来源期刊
原子能科学技术
学科
关键词
光核反应
50,51V
光子强度函数
核数据理论计算
年,卷(期)
2020,(7)
所属期刊栏目
物理
研究方向
页码范围
1185-1191
页数
7页
分类号
O571.421
字数
语种
中文
DOI
10.7538/yzk.2020.youxian.0081
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光核反应
50,51V
光子强度函数
核数据理论计算
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
原子能科学技术
主办单位:
中国原子能科学研究院
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-6931
CN:
11-2044/TL
开本:
大16开
出版地:
北京275信箱65分箱
邮发代号:
创刊时间:
1959-01-01
语种:
中文
出版文献量(篇)
7198
总下载数(次)
0
总被引数(次)
27955
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