退火温度对PECVD法制备SiO2/Si3N4光学薄膜性能的影响

• 作者: 吴立宇 屈盛官 李小强 王斌
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: 减反射膜 GaAs基太阳能电池 等离子体增强化学气相沉积 退火
• 年，卷（期）: 2020,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 75-81
• 页数: 7页
• 分类号: O484.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.11868/j.issn.1001-4381.2019.000894

摘要

基于多层光学薄膜的基本原理及算法,采用等离子体增强化学气相沉积方法在GaAs衬底上制备SiO2/Si3 N4双层减反射膜,通过原子力显微镜(AFM)、傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)、椭圆偏振仪、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱分析(XPS)、紫外-可见分光光度计对薄膜的形貌、结构及光学性能进行表征,研究不同退火温度对薄膜性能的影响.结果表明:退火前后薄膜均为结晶态;随着退火温度升高,薄膜反射率及粗糙度逐渐降低,700℃时薄膜平均反射率及粗糙度最低,分别为12.65％和1.64 nm;退火后光谱曲线往短波方向移动了30 nm,呈现典型的"蓝移"现象,表明退火后薄膜光学厚度逐渐降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	屈盛官		70	404	10.0	18.0
2	李小强		83	525	11.0	19.0
3	王斌		54	380	12.0	18.0
4	吴立宇		1	0	0.0	0.0