不同特征尺寸SRAM质子单粒子效应实验研究

• 作者: 孙波波 张凤祁 殷倩 覃英参 郭刚 郭红霞
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 质子 静态随机存储器 能量 入射角度 多位翻转
• 年，卷（期）: 2020,（6）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 1118-1124
• 页数: 7页
• 分类号: TN99
• 语种: 中文
• DOI: 10.7538/yzk.2019.youxian.0322

摘要

利用中国原子能科学研究院100 M eV质子回旋加速器开展了一系列不同特征尺寸双数据速率(DDR)静态随机存储器(SRAM)单粒子效应实验研究.获得了不同能量、不同入射角度下3款SRAM的单粒子翻转(SEU)截面曲线.分析了入射质子能量及角度对不同特征尺寸SRAM的SEU饱和截面的影响和效应规律,并利用蒙特卡罗方法对65 nm SRAM SEU特性进行了模拟.研究结果表明:随特征尺寸的减小,SEU饱和截面会出现不同程度的降低,但降低程度会由于多单元翻转(MCU)的增多而变缓;随入射角度的增加,MCU规模及数量的增加导致器件截面增大;3款SRAM所采用的位交错技术并不能有效抑制多位翻转(MBU)的发生.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张凤祁		40	169	8.0	10.0
2	郭红霞		81	385	10.0	13.0
3	郭刚	中国原子能科学研究院国防科技工业抗辐照应用技术创新中心	34	65	4.0	7.0
4	覃英参	中国原子能科学研究院国防科技工业抗辐照应用技术创新中心	4	3	1.0	1.0
5	殷倩	中国原子能科学研究院国防科技工业抗辐照应用技术创新中心	3	0	0.0	0.0
6	孙波波	中国原子能科学研究院国防科技工业抗辐照应用技术创新中心	2	0	0.0	0.0