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Al-S共掺杂SnO2电子结构的第一性原理研究
Al-S共掺杂SnO2电子结构的第一性原理研究
作者:
于淼
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
SnO2
Al-S共掺杂
能带结构
态密度
摘要:
本文采用第一性原理方法,研究了Al-S、Al-2S共掺SnO2的能带结构、态密度以及Mulliken布局.研究结果表明,Al-S共掺时,态密度向低能区方向移动,费米面附近出现深杂质能级,起复合中心的作用,主要由S的3p态贡献;Al-2S共掺时,态密度向低能方向移动程度更高,费米能级附近形成浅施主能级,能级距离导带底更近,S的3p态贡献更大.Al-S共掺会打破SnO2电子平衡状态,导致电荷密度重新分布.
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篇名
Al-S共掺杂SnO2电子结构的第一性原理研究
来源期刊
硅酸盐通报
学科
物理学
关键词
SnO2
Al-S共掺杂
能带结构
态密度
年,卷(期)
2020,(6)
所属期刊栏目
新型功能材料
研究方向
页码范围
1985-1988
页数
4页
分类号
O469
字数
1090字
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
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G指数
1
于淼
牡丹江师范学院物理与电子工程学院
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Al-S共掺杂
能带结构
态密度
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研究来源
研究分支
研究去脉
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硅酸盐通报
主办单位:
中国硅酸盐学会
中材人工晶体研究院有限公司
出版周期:
月刊
ISSN:
1001-1625
CN:
11-5440/TQ
开本:
16开
出版地:
北京市朝阳区东坝红松园1号中材人工晶体研究院733信箱
邮发代号:
80-774
创刊时间:
1980
语种:
chi
出版文献量(篇)
8598
总下载数(次)
10
总被引数(次)
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