光控晶闸管正向过电压自保护机理研究

• 作者: 崔春艳 彭光强 武霁阳 郝菁菁
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 光控晶闸管 转折二极管 正向过电压 自保护
• 年，卷（期）: 2020,（5）
• 所属期刊栏目: 器件与测试
• 页码范围: 133-135,140
• 页数: 4页
• 分类号: TN34
• 语种: 中文

摘要

介绍了新型光控晶闸管(LTT)内部集成的一项非常重要的电气功能,即正向过电压自保护功能.通过在LTT光敏区内集成转折二极管(BOD),实现LTT正向过电压自保护功能.如果集成BOD转折电压太高,则不能有效保护晶闸管;如果集成BOD转折电压太低,则达不到LTT设计的阻断电压要求.这里通过计算机仿真技术和工艺实验验证的方法,成功揭示了LTT内部集成的正向过电压结构机理与硅单晶材料电阻率、PN结结构尺寸和温度的关系,从而精确设计和制造了LTT内部的转折电压,成功研制了5英寸3 125 A/7 600 V特高压LIT,并成功应用于“云南-广东+800 kV/5 000 MW”特高压直流输电工程.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	武霁阳		2	0	0.0	0.0
2	彭光强		2	0	0.0	0.0
3	郝菁菁		1	0	0.0	0.0
4	崔春艳		1	0	0.0	0.0