高透明低发射率ITO薄膜的制备及其光电性能研究

• 作者: 丛大龙 吴护林 孙彩云 宋凯强 张敏 李忠盛 李晓晖
• 来源期刊: 表面技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 磁控溅射 ITO薄膜 透过率 方块电阻 辐射率
• 年，卷（期）: 2020,（7）
• 所属期刊栏目: 表面功能化
• 页码范围: 126-132
• 页数: 7页
• 分类号: O484
• 字数: 3220字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2020.07.016

摘要

目的 研究磁控溅射工艺对ITO薄膜光电性能的影响,为制备高性能ITO薄膜提供数据和理论支撑.方法 采用磁控溅射在PET基材上制备ITO薄膜,利用扫描电镜、X射线衍射仪、分光光度计、四探针、红外发射率测仪、Hall效应测试系统等,分析工艺参数对ITO薄膜光电性能的影响.结果 随着氧气流量的增加,ITO薄膜在可见光区的透过率先增加,然后变缓,薄膜方块电阻先降低后升高;随着工作气压的增加,ITO薄膜的可见光透过率增加,薄膜方块电阻先下降后上升,电阻率先变小再增大,载流子浓度先增大后减小,红外发射率先减小后增大,晶体结构逐渐由晶态转变为非晶态;随着氩氧比的降低,薄膜红外发射率先降低,然后缓慢升高;随溅射时间的增加,薄膜的厚度逐渐增大,方块电阻、红外发射率和可见光透过率迅速下降,晶体结构逐渐由非晶结构转变为晶体结构.综合对比研究发现,当氧气流量为0.6 mL/min、工作气压为0.4 Pa、氩氧比为19.8:0.2、溅射时间为80 min时,可获得综合性能优异的ITO薄膜,其可见光透过率大于80％,在8～14μm红外波段的辐射率小于0.2.结论 磁控溅射工艺参数是决定薄膜综合质量的重要因素,通过严格控制工艺参数,可获得透明性高、发射率低的ITO薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李忠盛		28	48	4.0	6.0
2	吴护林		12	42	3.0	6.0
3	宋凯强		6	7	2.0	2.0
4	丛大龙		10	15	2.0	3.0
5	孙彩云		7	0	0.0	0.0
6	李晓晖		4	0	0.0	0.0
7	张敏		5	4	1.0	2.0