硅通孔化学机械平坦化中铜去除的电化学与选择性研究

• 作者: 刘旭阳 张保国 王如
• 来源期刊: 电镀与涂饰
• 学科: 工学
• 关键词: 硅通孔 化学机械抛光 铜 腐蚀 电化学 表面粗糙度 材料去除速率
• 年，卷（期）: 2020,（9）
• 所属期刊栏目: 表面技术
• 页码范围: 554-559
• 页数: 6页
• 分类号: TN4
• 字数: 2688字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19289/j.1004-227x.2020.09.008

摘要

利用极化曲线测量法研究了甘氨酸和过氧化氢浓度及pH对硅通孔(TSV)化学机械平坦化(CMP)中铜腐蚀的影响.结果表明:甘氨酸对铜的腐蚀随其浓度增大而增强;随着过氧化氢浓度增大,铜腐蚀电位逐渐增大;在pH为10时铜的腐蚀效果最佳.CMP实验表明,在不同浓度的甘氨酸和过氧化氢之下,抛光速率可调,达1.9～5.8μm/min,铜表面粗糙度为5～29 nm,铜钽去除速率比为20～50.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王如	河北工业大学电子信息工程学院	44	252	8.0	14.0
5	张保国	河北工业大学电子信息工程学院	5	18	2.0	4.0
9	刘旭阳	河北工业大学电子信息工程学院	3	8	2.0	2.0