英飞凌推出62mm CoolSiC^TM模块,为碳化硅开辟新应用领域

• 来源期刊: 变频器世界
• 学科: 经济
• 关键词: IGBT模块 英飞凌科技 芯片技术 中等功率 TM模 模块封装 拓扑设计 碳化硅
• 年，卷（期）: 2020,（7）
• 页码范围: 25-25
• 页数: 1页
• 分类号: F416.6

摘要

2020年7月14日,英飞凌科技股份公司为其1200V CoolSiC^TMOSFET模块系列新增了一款62mm工业标准模块封装产品。它采用成熟的62mm器件半桥拓扑设计,以及沟槽栅芯片技术,为碳化硅打开了250k W以上(硅IGBT技术在62mm封装的功率密度极限)中等功率应用的大门。在传统62mm IGBT模块基础上,将碳化硅的应用范围扩展到了太阳能、服务器、储能、电动汽车充电桩、牵引以及商用感应电磁炉和功率转换系统等。