基于动态栅电阻的SiC MOSFET驱动电路设计

• 作者: 吴磊 梁剑
• 来源期刊: 电气传动
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅器件 驱动电路 关断过压 开关损耗
• 年，卷（期）: 2020,（11）
• 所属期刊栏目: 其他
• 页码范围: 117-121
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.19457/j.1001-2095.dqcd19161

摘要

SiC MOSFET以其开关速度快、开关损耗小、热导率高等特点逐渐成为高功率密度电力电子应用场合的新宠,但是较快的开关速度导致器件开关应力以及振荡严重.提出了一种基于动态栅电阻的SiC MOSFET驱动电路,其可以动态地通过调整栅极电阻来优化SiC MOSFET的开关特性,有效地解决了传统驱动电路不能兼顾损耗与开关应力的缺点.最后,利用1200 V/300 A SiC MOSFET(Cree)通过双脉冲实验证明了动态栅电阻驱动电路对优化开关特性具有明显优势.