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基于非晶碳膜压阻效应的MEMS压力传感器研究
基于非晶碳膜压阻效应的MEMS压力传感器研究
作者:
同笑珊
张琪
汪爱英
赵玉龙
郭鹏
马鑫
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
非晶碳膜
压阻效应
压阻机理
MEMS
压力传感器
厚膜理论
摘要:
目的 研究非晶碳膜的压阻性能和机理,并将其作为压敏电阻应用于MEMS压力传感器敏感电路中.方法 使用直流溅射工艺制备非晶碳膜压敏薄膜材料,对典型样品进行内部组分和电学、力学、温度等性能测试和研究,使用有限元方法进行器件设计仿真,借助MEMS加工工艺完成非晶碳膜压力传感器芯片的加工,最后进行器件级别的测试和分析.结果 在0~1 MPa范围内,压力传感器芯片的灵敏度为9.4μV/kPa,输出信号的非线性度为5.57%FS;对压敏电阻进行–70~150℃范围内的温度性能研究,其阻值与温度之间表现出较强的线性关系,且在–20~150℃段,线性度更强,表明非晶碳膜压敏材料在高温段应用时更容易补偿.机理研究方面,非晶碳膜在厚度方向上表现出组分差异化,因此该方向也应被纳入机理模型建立中.结论 非晶碳膜在加工工艺、力学性能以及电学性能上与传统的MEMS传感器芯片能够很好地结合,加工得到的非晶碳膜压阻式压力传感器灵敏度和线性度较为理想.此外,其压阻机理研究应纳入薄膜厚度方向.
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文献信息
篇名
基于非晶碳膜压阻效应的MEMS压力传感器研究
来源期刊
表面技术
学科
工学
关键词
非晶碳膜
压阻效应
压阻机理
MEMS
压力传感器
厚膜理论
年,卷(期)
2020,(6)
所属期刊栏目
专题——碳基强化功能薄膜材料与应用技术
研究方向
页码范围
60-67
页数
8页
分类号
TP212.1
字数
2032字
语种
中文
DOI
10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2020.06.007
五维指标
传播情况
被引次数趋势
(/次)
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引文网络
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非晶碳膜
压阻效应
压阻机理
MEMS
压力传感器
厚膜理论
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
表面技术
主办单位:
中国兵器工业第五九研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1001-3660
CN:
50-1083/TG
开本:
16开
出版地:
重庆市2331信箱(重庆市九龙破区石桥铺渝州路33号)
邮发代号:
78-31
创刊时间:
1972
语种:
chi
出版文献量(篇)
5547
总下载数(次)
30
总被引数(次)
34163
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:
数理科学
陕西省自然科学基金
英文译名:
Natural Science Basic Research Plan in Shaanxi Province of China
官方网址:
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