抗坏血酸后处理化学气相法制备的聚3,4-乙撑二氧噻吩薄膜及其热电性能

• 作者: 刘少辉 周梦 王娇 郝好山
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 聚3,4-乙撑二氧噻吩 薄膜 后处理 热电性能
• 年，卷（期）: 2020,（14）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 196-204
• 页数: 9页
• 字数: 6018字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.69.20200431

摘要

为了获得高热电性能薄膜材料,采用抗坏血酸(VC)作为还原剂对PEDOT-Tos-PPP薄膜进行后处理,研究了不同浓度的VC水溶液对薄膜热电性能的影响,并研究了后处理薄膜在空气中的稳定性.结果表明,经浓度为20％ 的VC水溶液处理后,薄膜功率因子呈现最大值55.6μW·m–1·K–2,是处理之前(32.6μW·m–1·K–2)的1.7倍,室温下最大的ZT值为0.032.经过VC处理后PEDOT薄膜的电导率和Seebeck系数在空气中表现出不稳定的特性,主要是由于空气中的氧气导致薄膜表面中性态PEDOT进一步发生氧化引起的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王娇	河南工程学院理学院	16	4	1.0	1.0
3	刘少辉	河南工程学院理学院	16	4	1.0	1.0
4	郝好山	河南工程学院理学院	22	16	3.0	3.0
7	周梦	河南工程学院理学院	2	0	0.0	0.0